- सैमसंग चाहता है कि इस दशक में NAND लेयर की संख्या चार अंकों तक पहुंच जाए
- भविष्य के M.2 SSD की क्षमता 8 TB से 32 TB तक बढ़ सकती है।
- सेल मल्टी-बॉन्डिंग NAND घनत्व बढ़ाने के पारंपरिक तरीकों की जगह ले सकती है
सैमसंग ने 1,000-लेयर मेमोरी प्राप्त करने के उद्देश्य से एक NAND रणनीति की रूपरेखा तैयार की है क्योंकि उद्योगों में सघन भंडारण की मांग लगातार बढ़ रही है।
आईईईई/जेएसएपी वीएलएसआई 2026 संगोष्ठी में सामने आया रोडमैप वर्तमान वर्टिकल स्केलिंग योजनाओं को मौजूदा वाणिज्यिक उत्पादों से कहीं आगे तक विस्तारित करता है।
इन महत्वाकांक्षाओं के केंद्र में भंडारण प्रणालियों की भावी पीढ़ी है जो सॉलिड-स्टेट ड्राइव की परिचित क्षमताओं को अपरिचित क्षेत्र में ले जा सकती है।
आज की ड्राइव से कल की 32टीबी एम.2 एसएसडी तक की यात्रा
सैमसंग को उम्मीद है कि उसकी NAND तकनीक 2029 तक लगभग 420 परतों तक पहुंच जाएगी, और 2030 में 560 परतों से अधिक हो जाएगी।
इसके अलावा, कंपनी भविष्य की पीढ़ियों की फ्लैश मेमोरी में 900 से 1000 परतों वाले आर्किटेक्चर का पता लगाने का इरादा रखती है।
एक विशाल NAND संरचना बनाने के बजाय, सैमसंग सेल मल्टी-बॉन्डिंग तकनीक का उपयोग करके कई स्टैक को संयोजित करने की योजना बना रहा है।
यह विधि एकल 1000-परत डिवाइस के समान घनत्व प्राप्त करने के लिए एक ही पैकेज के भीतर व्यक्तिगत NAND संरचनाओं को जोड़ती है।
सैमसंग ने विशेष रूप से भविष्य की चार-अंकीय परत गणना से जुड़े प्रभावी घनत्व के करीब पहुंचने के लिए लगभग 450 परतों की दो संरचनाओं के संयोजन पर चर्चा की।
कंपनी के पूर्वानुमानों के अनुसार, यह व्यवस्था वर्तमान पीढ़ी के समाधानों के डेटा भंडारण घनत्व को चौगुना कर सकती है।
प्रस्तुति के दौरान उल्लिखित उदाहरणों में से एक 8TB QLC M.2 ड्राइव था जो अंततः 32TB क्षमता तक विस्तारित हो गया।
यह परिदृश्य भौतिक आकार को बढ़ाए बिना काफी बड़े SSDs के उपयोग की अनुमति देगा, जबकि कॉम्पैक्ट M.2 प्रारूप को बनाए रखेगा जो कई उपयोगकर्ताओं को अच्छी तरह से याद है।
स्केलिंग के लिए वही दृष्टिकोण अंततः 100 टीबी से बड़े एंटरप्राइज़ ड्राइव के निर्माण का समर्थन कर सकता है, साथ ही साथ पेटाबाइट एसएसडी की चर्चा को वास्तविकता के करीब ला सकता है।
सैमसंग और पेटाबाइट एसएसडी के बीच खड़ी इंजीनियरिंग चुनौतियां
सैमसंग ने स्वीकार किया कि परतों की संख्या बढ़ने से विनिर्माण अधिक जटिल हो जाता है, जो कि अधिक जटिल हो जाता है क्योंकि डिज़ाइन लंबवत रूप से ऊंचे हो जाते हैं।
मुख्य चिंताओं में से एक प्लेट वॉरपिंग को लेकर है, जहां ऊंची संरचनाएं उत्पादन के दौरान विकृत हो सकती हैं और उत्पादन स्थिरता या उपज को कम कर सकती हैं।
एक और चुनौती सैकड़ों खड़ी परतों के सटीक संरेखण को बनाए रखना है, जिसके लिए विनिर्माण प्रक्रिया के दौरान ओवरलैप के बेहद सटीक नियंत्रण की आवश्यकता होती है।
यहां तक कि स्तरों के बीच अपेक्षाकृत मामूली बदलाव भी तैयार भंडारण उत्पादों की दीर्घकालिक विश्वसनीयता, प्रदर्शन और विनिर्माण दक्षता को प्रभावित कर सकते हैं।
विरूपण के प्रभावों को सीमित करने के लिए, सैमसंग तेजी से जटिल वेफर संरचनाओं को स्थिर करने के लिए डिज़ाइन किया गया एक शीर्ष चक डिज़ाइन पेश करने की योजना बना रहा है।
कंपनी ने संरेखण सटीकता में सुधार करने के लिए डिज़ाइन की गई ओवरले सुधार प्रौद्योगिकियों पर भी चर्चा की क्योंकि भविष्य में NAND संरचनाएं ऊपर की ओर बढ़ रही हैं।
ये विकास तब आते हैं जब पारंपरिक संपीड़न प्रक्रियाएं तेजी से कठिन होती जा रही हैं, जिससे मेमोरी निर्माताओं को अधिक जटिल ऊर्ध्वाधर आर्किटेक्चर की ओर जाने के लिए मजबूर होना पड़ रहा है।
सैमसंग ने अलग से 400-लेयर NAND की रिकॉर्ड-ब्रेकिंग पीढ़ी पर चर्चा की, जो हाइपरस्केलर AI-संचालित SSDs की क्षमता को 200TB बाधा से आगे बढ़ाने में मदद कर सकती है।.
कंपनी ने भविष्य में 430-लेयर NAND तकनीक को भी जोड़ा है जिसमें 100TB SSDs उद्यम तैनाती में तेजी से आम हो जाएंगे।
परतों की व्यावहारिक संख्या को 1,000 से अधिक बढ़ाने के लिए सैमसंग हेफ़नियम फेरोइलेक्ट्रिक्स के साथ काम करेगा।
हालाँकि, क्या ये डिज़ाइन अंततः मुख्यधारा 32TB M.2 ड्राइव या पेटाबाइट SSDs का उत्पादन करेंगे, यह अभी भी रोडमैप के बजाय विनिर्माण वास्तविकताओं पर निर्भर करता है।
हालाँकि, सैमसंग के नवीनतम रोडमैप से पता चलता है कि NAND वर्चस्व की दौड़ आकार घटाने के बजाय सरलता के बारे में है।
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